首頁 ?
優(yōu)勢產(chǎn)品 ? Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
優(yōu)勢產(chǎn)品
產(chǎn)品分類
嵌入式微控制器和微處理器(6)
通信接口器件(16)
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(3)
信號(hào)調(diào)理器件(2)
電源管理器件(36)
存儲(chǔ)器(11)
功率器件(8)
傳感器(15)
特殊功能集成電路(1)
分立半導(dǎo)體器件(14)
被動(dòng)器件(2)
光電器件(3)
連接器(1)
供應(yīng)商
3PEAK(2)
Advancechip(1)
AICC(1)
China Wind(5)
Exar(7)
HTC(7)
Intersil(15)
KIOXIA(2)
onsemi(17)
QST Corporation(1)
STMicroelectronics(20)
Texas Instruments(11)
Vishay(9)
Wuhan Xinxin Semiconductor(6)
奧倫德(1)
多維(1)
力源信息(6)
美浦森半導(dǎo)體(1)
尚陽通(3)
芯洲(1)
中微愛芯(1)
Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK® SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實(shí)現(xiàn)相近的效率。應(yīng)用于大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流器、太陽能微型逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)。
應(yīng)用框圖
特性
源漏極導(dǎo)通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持續(xù)源漏極導(dǎo)通電流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通過Rg和UIS測試
材料兼容Pb-free RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
同步整流
初級(jí)側(cè)開關(guān)
DC/DC轉(zhuǎn)換器
太陽能微型逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)
電池和負(fù)載開關(guān)
主要器件
| ☆ |
產(chǎn)品訂購：秦女士 郵箱：qinj@icbase.com |
| |
技術(shù)支持：徐先生 郵箱：xujf@icchain.com |