五月天婷婷色_国产亚洲欧美精品久久久_久久综合香蕉久久久久久久_久久久久久久久性潮_日韩色在线观看

0
您好,歡迎來(lái)到力源芯城,全場(chǎng)滿300元包郵(首單滿100包郵)!
熱門搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首頁(yè)  ?  供應(yīng)商  ?  Vishay
廠商名稱:Vishay
主要產(chǎn)品:分立半導(dǎo)體器件
Vishay 產(chǎn)品搜索

Vishay 是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動(dòng)元件的制造商之一。Vishay 元件用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備中。


Vishay 的全球足跡包括在中國(guó),亞洲其他五個(gè)國(guó)家/地區(qū),歐洲及美洲設(shè)立的制造機(jī)構(gòu),以及在全球開設(shè)的銷售辦事處。Vishay 在技術(shù),成功收購(gòu)戰(zhàn)略,注重降低成本, 以及提供“一站式”服務(wù)已使該公司成為全球業(yè)界的領(lǐng)先者。

產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品型號(hào) 描述 發(fā)布時(shí)間 購(gòu)買
SI7469DP-T1-GE3 25mΩ,-80V,-28A,P溝道功率MOSFET 2024-12-05
TZMC20-GS08 小信號(hào)齊納二極管,20V 500 mW±5% 2024-12-05
SQJA86EP-T1_GE3 80V,19mΩ,30A,N溝道功率MOSFET 2024-12-05
SI1024X-T1-GE3 雙N溝道20 V(D-S)MOSFET 2024-12-05
S1MHE3_A/H 表面貼裝玻璃鈍化整流器1000 V 1A 2024-12-05
VS-16CTU04-M3 超快整流器,16A,400V 2024-12-05
SIP32431DR3-T1GE3 帶反向閉鎖的負(fù)載開關(guān) 2024-12-05
IL300-EF-X009T 線性光耦合器,高增益穩(wěn)定性,寬帶 2024-12-05
WSL12065L000FEA18 電源金屬帶?電阻器,5mΩ±1%0.5W 2024-12-05
V15PM153-M3/H 表面貼裝TMBS?(溝槽MOS勢(shì)壘肖特基)整流器15A, 150V 2024-12-05
IHLP3232DZER220M11 IHLP?商用電感器,22 μh 2024-12-05
T55A475M010C0200 聚合物鉭電容器,4.7 μf 2024-11-21
DG211BDY-T1-E3 SPST模擬開關(guān) 2024-11-21
CRCW08055R60FKEAHP 防脈沖、高功率厚膜片式電阻器,5.6Ω±1%0.5W 2024-11-21
SQJ182EP-T1_GE3 80V,5mΩ,210A,N溝道功率MOSFET 2024-11-06
SQJ479EP-T1_GE3 33mΩ,-80V,-32A,P溝道功率MOSFET 2024-11-06
MKP1848550704K2L20 薄膜電容器 2024-11-06
SQJ872EP-T1_GE3 150V,35.5mΩ,24.5A,N溝道功率MOSFET 2024-11-06
IRFR430ATRPBF 500V,1.7Ω,5A,N溝道功率MOSFET 2024-11-06
SE70PJHM3_A/H 表面貼裝ESD能力整流器 2024-11-06
VEMD5160X01 硅光電二極管 2024-11-06
MOC8104-X019T 光電晶體管輸出光耦 2024-10-14
TX3B226K020C0700 22uf Bcase 20V電容 2024-10-14
MMA02040Z0000ZB300 專業(yè)薄膜MELF電阻器,0Ω,跳接器 2024-10-14
CNY17-3 光電晶體管輸出光耦 2024-10-14
SIC448ED-T1-GE3 4.5 V至45 V輸入,6 A,microBUCKDC/DC轉(zhuǎn)換器 2024-10-14
SUD15N15-95-E3 150V,95mΩ,15A,N溝道功率MOSFET 2024-10-14
NTCLE301E4C90867 NTC熱敏電阻 2024-10-14
SIR610DP-T1-RE3 200V,31.9mΩ,35.4A,N溝道功率MOSFET 2024-09-10
TSOP75456WTT 用于遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)的IR接收模塊 2024-09-10
IHLP2525CZER2R2M11 IHLP?商用電感器,2.2 μH,低DCR系列 2024-09-10
BU25H08-E3/P 橋式整流器 單相 2024-09-10
V8P22HM3_A/H 高電流密度表面安裝TMBS?(溝槽MOS勢(shì)壘肖特基)整流器 2024-08-13
VCNT2025X01 具有晶體管輸出的反射式光學(xué)傳感器 2024-07-18
TCPT1350X01 具有晶體管輸出的超小型透射式光學(xué)傳感器,開槽 2024-07-18
SISS42LDN-T1-GE3 100V,14.9mΩ,11.3A,N溝道功率MOSFET 2024-07-18
TX3B336K020C1000 鉭電容器,33μF 2024-07-18
IRF644STRRPBF 250V,280mΩ,14A,N溝道功率MOSFET 2024-06-28
SI4816BDY-T1-GE3 30V,5.8A,8.2A,帶肖特基二極管雙N溝道MOSFET 2024-06-28
VEML6030 具有I2C接口的高精度環(huán)境光傳感器 2024-06-28
VS-20ETS08-M3 高壓,輸入整流二極管,20 A,800V 2024-06-28
TNPW0603100KBEEA 薄膜芯片電阻 100 kΩ ±0.1% 0.1W 2024-06-28
WSLP5931L1000FEA 電流傳感電阻器 2024-06-28
TNPW06032K70BEEA 芯片電阻,2.7 kΩ ±0.1% 0.1W 2024-06-28
SQA403EJ-T1_GE3 20mΩ,-30V,-10A,P溝道功率MOSFET 2024-06-28
SQD50P04-09L_GE3 9.4mΩ,-40V,-50A,P溝道MOSFET 2024-06-28
SI7431DP-T1-GE3 -200V,-3.8A,P溝道MOSFET 2024-06-19
ESH2DHE3_A/H 表面貼裝超快塑料整流器 2024-06-19
SI7463ADP-T1-GE3 10mΩ,-40V,-46A,P溝道功率MOSFET 2024-06-19
SIHB22N60ET1-GE3 600V,180mΩ,21A,N溝道功率MOSFET 2024-06-04
BAV19W-HE3-08 小信號(hào)開關(guān)二極管,高壓 2024-06-04
SQ3418EV-T1_GE3 40V,32mΩ,8A,N溝道MOSFET 2024-06-04
SMCJ15CA-E3/57T 表面貼裝TRANSZORB瞬態(tài)電壓抑制器 2024-05-07
BAS20-HE3-18 小信號(hào)開關(guān)二極管,高壓,150 V 200mA 2024-05-07
BAT54WS-E3-08 小信號(hào)肖特基二極管30 V 200mA 2024-05-07
SMA6J7.5A-E3/5A 表面安裝TRANSZORB?瞬態(tài)電壓抑制器,600W,7.5V 5%,UNIDIR,SMA 2024-05-07
AS3BDHM3_A/H 表面安裝整流器3A, 200V, SM 2024-05-07
VSMY2943SL 940nm高速紅外發(fā)射二極管,表面發(fā)射器技術(shù) 2024-05-07
VS-20CDH02HM3/I Hyperfast整流器,2 x 10 A FRED Pt? 2024-04-12
S2JHE3_A/H 表面安裝玻璃鈍化整流器,1.5A, 600V, SMB 2024-04-12
MAL214699806E3 100 μF鋁電解電容器 徑向 2024-04-12
IRFPG50PBF N-溝道 MOSFET 2024-04-12
VY1222M47Y5UQ6TV0 安全電容器 2200pF X760 Y500VAC 20% Y5U 2024-04-12
595D107X0016D2T 鉭電容器100 μF 2024-04-12
IRFB18N50KPBF 500V,290mΩ,17A,N溝道功率MOSFET 2024-03-15
SI2356DS-T1-GE3 40V,51mΩ,4.3A,N 溝道功率 MOSFET 2024-03-15
SQJA06EP-T1_GE3 60V,8.7mΩ,57A,N溝道功率MOSFET 2024-03-15
TZMC5V1-GS08 齊納二極管 2024-03-15
SIHG018N60E-GE3 600V,23mΩ,99A,N溝道功率MOSFET 2024-03-15
MURS340-M3/9AT 表面貼裝超快塑料整流器 2024-02-29
MURS360-M3/9AT 表面貼裝超快塑料整流器 2024-02-29
WSKW06122L000FEA 芯片電阻,2 mΩ ±1% 1W 2024-02-29
WSLP2010R0100FEA Power Metal Strip?電阻器,10mΩ±1%2W 2024-02-29
VS-20MQ100NTRPBF 肖特基二極管 100 V 2.1A 2024-02-29
TNPW06036K80BEEA 薄膜芯片電阻 6.8 kΩ ±0.1% 0.1W 2024-02-29
595D107X0010D2T 固體鉭片電容器,100 μf,涂層 2024-02-29
SIHP18N50C-E3 500V,270mΩ,18A,N溝道功率MOSFET 2024-02-29
TZMC43-GS08 齊納二極管 2024-02-29
NTCALUG01A473HA NTC 熱敏電阻器 47kΩ 環(huán)形焊片 2024-02-29
BFC233810154 0.15 μF干擾抑制薄膜電容器-X1級(jí)徑向MKP 440 VAC-標(biāo)準(zhǔn)跨線 2024-02-29
MKT1820610015 10μF 薄膜電容器 2024-02-29
VO14642AT 固態(tài)繼電器 2023-12-27
IRFU320PBF 400V,1.8Ω,3.1A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFP460HPBF 500V,270mΩ,20A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFP450APBF 500V,400mΩ,14A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRF840ALPBF 500V,850mΩ,8A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFB9N60APBF 600V,750mΩ,9.2A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFPE50PBF 800V,1.2Ω,7.8A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFBE30SPBF 800V,3Ω,4.1A,N溝道功率MOSFET 2023-12-27
IRFU120PBF 250V,2Ω,2.2A,N溝道功率MOSFET 2023-12-13
SQJ459EP-T1_GE3 18mΩ,-60V,-52A,P 溝道功率 MOSFET 2023-11-28
SUD19N20-90-E3 200V,90mΩ,19A,N溝道功率MOSFET 2023-11-28
SI2377EDS-T1-GE3 61mΩ,-20V,-4.4A,P溝道功率MOSFET 2023-11-14
BZD27C24P-HE3-08 齊納二極管 2023-11-14
RS1KHE3_A/H 表面安裝快速開關(guān)整流器 2023-11-06
IRFL210TRPBF 200V,1.5Ω,0.96A,N溝道功率MOSFET 2023-11-06
T51D107M010C0040 表面安裝芯片電容器 2023-11-06
T51D107M016C0050 vPolyTanTM聚合物表面安裝芯片電容器 2023-11-06
T51D227M010C0040 vPolyTanTM聚合物表面安裝芯片電容器 2023-11-06
T51D227M6R3C0040 表面安裝芯片電容器 2023-11-06
T51D337M004C0040 表面安裝芯片電容器 2023-11-06
T51D476M025C0060 vPolyTanTM聚合物表面安裝芯片電容器 2023-11-06
1.5SMC220A-E3/9AT TVS二極管 表面貼裝型 2023-10-20
MURS120-E3/52T 超快整流器,表面貼裝,200V,1A 2023-10-11
VS-RA220FA120 標(biāo)準(zhǔn)整流器,220 A 2023-09-27
V20PWM60C-M3/I 肖特基二極管,60 V 10A 2023-09-06
SUM55P06-19L-E3 19mΩ,-60V,-55A,P溝道功率MOSFET 2023-09-06
SI5403DC-T1-GE3 30mΩ,-30V,-6A,P溝道功率MOSFET 2023-09-06
NTCALUG01A103F161A NTC熱敏電阻器 10k 2023-09-06
SML4738A-E3/61 表面安裝齊納二極管 2023-09-06
SI7415DN-T1-GE3 65mΩ,-60V,-15A,P溝道功率MOSFET 2023-09-06
SIS862ADN-T1-GE3 60V,7.2mΩ,52A,N 溝道功率 MOSFET 2023-07-18
NTCS0805E3473JHT NTC 熱敏電阻器 47kΩ 2023-07-18
AY2101K29Y5SS63L7 陶瓷電容器 Y5S,圓片式100 pF ±10% 440VAC 2023-07-18
SUM110P06-07L-E3 6.9mΩ,-60V,-110A,P溝道功率MOSFET 2023-06-28
1.5SMC30CAHE3_A/H 表面貼裝 TRANSZORB 瞬態(tài)電壓抑制器 2023-06-28
SQJ147ELP-T1_GE3 12.5mΩ,-40V,-90A,P溝道功率MOSFET 2023-06-28
293D226X0035E2TE3 固體鉭電容器 2023-06-28
SQ7414CENW-T1_GE3 60V,23mΩ,18A,N溝道功率MOSFET 2023-06-28
SQ2318AES-T1_GE3 40V,31mΩ,8A,N溝道功率MOSFET 2023-06-28
WSL0805R0100DEA18 片式電阻器,10 mΩ±0.5%0.25W 2023-06-28
SiC467ED-T1-GE3 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器 2023-05-24
IHLP2525CZER1R0M01 1uH,±20%,高電流IHLP電感器 2023-05-06
VB30200C-E3/8W 肖特基整流器,200V,30A 2023-05-06
P4SMA12A-E3/61 表面貼裝TRANSZORB瞬態(tài)電壓抑制器 2023-05-06
SI7489DP-T1-GE3 41mΩ,-100V,-28A,P溝道功率MOSFET 2023-05-06
MURS120HE3_A/H 超快整流器,表面貼裝,200V,1A 2023-04-20
WSR3R0150FEA 電流傳感電阻器 - SMD 3w,15mΩ,1% 2023-04-20
SFH615A-3X009 晶體管輸出光電耦合器 2023-04-20
BZG05C3V3-HM3-08 齊納二極管,3.3 V 1.25 W 2023-04-20
CRCW040210R5FKED 標(biāo)準(zhǔn)厚膜片式電阻器,10.5Ω±1%0.063W 2023-04-20
VO615A-9 光電晶體管輸出光耦合器,耐高溫 2023-04-20
VO615A-3X007T 光電晶體管輸出光耦 2023-04-20
DG468DV-T1-E3 低功耗、高電壓 SPST 模擬開關(guān) 2023-04-20
CRCW04021M60JNED 標(biāo)準(zhǔn)厚膜片式電阻器 2023-03-21
CRCW06034R70FKEA 標(biāo)準(zhǔn)厚膜片式電阻器,4.7Ω±1%0.1W 2023-03-21
ZM4752A-GS08 33V,±5%,1W,齊納二極管 2023-03-21
IHLP2525CZER1R0M01 1uH,±20%,高電流IHLP電感器 2023-03-21
SQ2315ES-T1_GE3 50mΩ,-12V,-5A,P 溝道功率 MOSFET 2023-03-09
PR02000201503JA100 功率金屬膜引線電阻器 2023-03-09
WSL10203L000FEA 片式電阻器,3 mΩ±1%2W 2023-03-09
CRCW020147K0FKED 厚膜片式電阻器,47kΩ,±1%,0.05W 2023-03-09
CRCW04029K09FKED 標(biāo)準(zhǔn)厚膜片式電阻器,9.09 kΩ±1%0.063W 2023-03-09
MSX1PBHM3/89A 表面貼裝ESD整流器 2023-02-14
BZX384B16-E3-08 齊納二極管 2023-02-14
MBR30H60CT-E3/45 肖特基二極管60 V 15A 2023-02-14
P6SMB160A-E3/52 表面貼裝 TRANSZORB 瞬態(tài)電壓抑制器 2022-12-28
CRCW02014K70FKED 厚膜電阻器,SMD,50mW, 4.7Kohms,1%,100ppm 2022-12-06
CRCW02010000Z0ED 厚膜電阻器,SMD 2022-12-06
VY1222M43Y5UC6UV0 陶瓷電容器 Y5U,2200 pF ±20% 760VAC 2022-11-16
MKP1848510924K2L20 金屬化聚丙烯薄膜電容器 DC-Link 電容器 2022-11-16
293D476X0020E2TE3 固體鉭電容器 2022-11-16
1N4006-E3/54 通用塑料整流器,800 V 1A 2022-11-16
VS-30ETH06-M3 超快整流器,600 V 30A 2022-11-16
T55D227M010C0007 220uF,10V,±20%,鉭質(zhì)電容器-固體 2019-05-16
T55V157M6R3C0018 150uF,3.6V,±20%,鉭質(zhì)電容器-固體 2019-05-16
P6SMB30AHE3/52 峰值功率600W,30V,單向通道,齊納TVS 2018-12-14
在設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)時(shí),你使用過(guò)面板電位計(jì)嗎?當(dāng)你進(jìn)行面板電位計(jì)選型時(shí),該從哪里入手?電位計(jì)作為一種可變電阻器,工作原理很簡(jiǎn)單,它通常由一個(gè)可調(diào)節(jié)的滑動(dòng)觸點(diǎn)和一個(gè)固定的電阻組成,通過(guò)移動(dòng)滑動(dòng)觸點(diǎn),改變電位計(jì)......[詳情]
如今,越來(lái)越多的生物測(cè)定功能被集成到智能手表等可穿戴設(shè)備中,讓用戶能夠隨時(shí)隨地了解自己的健康狀況。而基于光電技術(shù)的解決方案,憑借簡(jiǎn)便、無(wú)創(chuàng)、易集成的特點(diǎn),在心率監(jiān)測(cè) ( HRM ) 和血氧飽和度 ( SpO2 ) 測(cè)量......[詳情]
在功率電子系統(tǒng)中,特別是隨著氮化鎵 ( GaN ) 和碳化硅 ( SiC ) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件的應(yīng)用越來(lái)越多,柵極電阻的選擇顯得更為關(guān)鍵。一般來(lái)講,柵極電阻的大小直接影響著器件的開關(guān)速度和功率損耗。不恰當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)可能會(huì)......[詳情]
在功率電子應(yīng)用中,DC-Link(直流支撐)電容是一種不可或缺的元件,其作用是利用電容存儲(chǔ)和釋放電荷的特性,來(lái)平衡電路中的電流和電壓,進(jìn)而起到穩(wěn)定系統(tǒng)運(yùn)行的作用。隨著新能源的發(fā)展,DC-Link 電容的應(yīng)用場(chǎng)景也......[詳情]
由于可以支持更高的功率水平、減少功率損耗,以及減輕線束的重量,汽車低壓供電網(wǎng)絡(luò)向 48 V 遷移已經(jīng)是大勢(shì)所趨。而在這個(gè)技術(shù)演進(jìn)過(guò)程中,同時(shí)配備 12 V 和 48 V 總線的雙電壓網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)日漸普及,并將在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間......[詳情]
物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,需要部署海量的邊緣節(jié)點(diǎn)設(shè)備,在很多應(yīng)用場(chǎng)景中,由于節(jié)點(diǎn)設(shè)備數(shù)量龐大、地處偏遠(yuǎn)難于維護(hù),抑或是出于成本的考慮,不宜使用電池供電,這時(shí)就需要考慮采用能量收集解決方案,讓這些節(jié)點(diǎn)設(shè)備的供電能夠......[詳情]
在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中,電子保險(xiǎn)絲 ( eFuse ) 是一個(gè)令人興奮的技術(shù),也代表著一種創(chuàng)新的新趨勢(shì)--這種基于半導(dǎo)體技術(shù)、具有自恢復(fù)特性的解決方案,正在快速取代傳統(tǒng)的機(jī)械繼電器和接觸器以及不可恢復(fù)保險(xiǎn)絲,在高功率應(yīng)......[詳情]
電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)使用柔性 PCB 時(shí),激光焊接產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和溫度變化會(huì)導(dǎo)致表面貼裝 NTC 熱敏電阻熱開裂,這是一種難以預(yù)測(cè)的潛在嚴(yán)重故障。采用軟端子和塊狀金屬氧化物工藝的貼片熱敏電阻可最大限度減小元件開......[詳情]
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路噪聲。為了減少電路噪聲,需要......[詳情]
人機(jī)交互(HMI)一直是這些年的技術(shù)焦點(diǎn),其中非接觸操作更是一個(gè)特別能夠激發(fā)工程師"創(chuàng)作靈感"的主題——無(wú)需與機(jī)器或設(shè)備的物理接觸,只需靠近或者做個(gè)手勢(shì),即可讓其根據(jù)用戶的需要......[詳情]
電子系統(tǒng)中 Power IC 的作用就是為計(jì)算處理核心器件供電,其中最典型的就是 DC/DC 轉(zhuǎn)化器模塊,它會(huì)將電源總線上的電壓轉(zhuǎn)化為負(fù)載點(diǎn)(POL)所需的電壓。而隨著新一代計(jì)算處理核心器件(如 CPU、DSP、FPGA 和 ASIC 等......[詳情]
Vishay 的車載無(wú)線充電解決方案涵蓋目前主流平臺(tái),其中 Vishay 的 MOSFET 以高可靠性、低內(nèi)阻、高性價(jià)比策略以覆蓋主流的前裝市場(chǎng)。主推型號(hào)都有通過(guò)車規(guī) AEC-Q101 認(rèn)證,滿足車廠認(rèn)證要求。 應(yīng)用框圖 優(yōu)勢(shì)通過(guò)車規(guī) ......[詳情]

更多視頻
全資子公司:
地址:湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道武大園三路5號(hào)
版權(quán)所有?2014   武漢力源信息技術(shù)股份有限公司

鄂公網(wǎng)安備 42018502002463號(hào)

   |   鄂ICP備13001864號(hào)-1    |   營(yíng)業(yè)執(zhí)照