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在當(dāng)今全球汽車(chē)工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中，一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車(chē)整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器。就像電子領(lǐng)域的"黑科技"催化劑，SiC正以其耐高壓、高熱導(dǎo)率及低損耗特性，重新定義新能源汽車(chē)的核心部件的工作效能極限，并以前所未有的方式推動(dòng)整個(gè)行業(yè)朝著更長(zhǎng)續(xù)航、更高能效的方向疾速前行。

大規(guī)模“上車(chē)”在即的碳化硅

猶如引擎之于燃油車(chē)，主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的心臟，其性能優(yōu)劣直接影響到車(chē)輛的整體表現(xiàn)。碳化硅的應(yīng)用，就像給這個(gè)心臟注入了一劑強(qiáng)心針，各大車(chē)企紛紛導(dǎo)入使得碳化硅在主驅(qū)逆變器上的市場(chǎng)份額正以前所未有的速度擴(kuò)張，預(yù)示著一場(chǎng)深度影響汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)革命已拉開(kāi)帷幕。

據(jù)NE時(shí)代預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)，未來(lái)5年，中國(guó)新能源乘用車(chē)市場(chǎng)不同類(lèi)型功率器件的份額中，增長(zhǎng)最快的將是800V高壓SiC平臺(tái)，其次是主要用于800V四驅(qū)車(chē)輛輔驅(qū)的800V IGBT和400V SiC的份額將先有所增長(zhǎng)。在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，大部分車(chē)企的800V平臺(tái)和400V平臺(tái)仍將處于共存階段，因?yàn)殡m然大部分車(chē)企均有800V平臺(tái)的相應(yīng)規(guī)劃，但不同企業(yè)對(duì)應(yīng)用800V的平臺(tái)策略有一定差別，最為積極的新勢(shì)力頭部車(chē)企將用800V平臺(tái)迭代現(xiàn)有平臺(tái)，其他OEM則相對(duì)較為穩(wěn)健，會(huì)在部分高端車(chē)型上應(yīng)用800V平臺(tái)。

此外，盡管在在未來(lái)十年內(nèi)，IGBT和SiC MOSFET會(huì)共同存在，但趨勢(shì)是隨著OEM更大膽地直接轉(zhuǎn)向純電動(dòng)汽車(chē)，插電式混合動(dòng)力汽車(chē)和混合電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)將繼續(xù)萎縮，轎車(chē)和跨界純電動(dòng)汽車(chē)將繼續(xù)增長(zhǎng)并成為主要市場(chǎng)。到了2025年之后，“肌肉”電車(chē)，例如SUV、卡車(chē)和運(yùn)動(dòng)型車(chē)的需求將大幅增長(zhǎng)，從而推動(dòng)功率大于250千瓦的電力驅(qū)動(dòng)裝置的更多需求，加之800V高壓平臺(tái)系統(tǒng)的逐步推廣，碳化硅大規(guī)模“上車(chē)”在即。

大功率+低損耗：難以拒絕的效率吸引力

汽車(chē)的動(dòng)力更迭，從內(nèi)燃機(jī)到電驅(qū)動(dòng)，這當(dāng)下汽車(chē)變革中最大的一個(gè)部分。傳統(tǒng)燃油車(chē)的三大件包括油箱、軸承（包括總成、變速箱等）、內(nèi)燃機(jī)，而動(dòng)力電池就相當(dāng)于電動(dòng)汽車(chē)的“油箱”，電機(jī)是內(nèi)燃機(jī)，逆變器便相當(dāng)于變速箱，主要作用就是把電池中儲(chǔ)存的能量形式轉(zhuǎn)換成另一個(gè)可控的可讓電機(jī)輸出的能量形式。因此，對(duì)于主驅(qū)逆變器中的電力需求，主要體現(xiàn)在五個(gè)方面：

• 動(dòng)力更強(qiáng) - 更大的瞬間扭矩帶來(lái)更多駕駛樂(lè)趣；
• 效率更高 - 航程更長(zhǎng)，損耗更低；
• 電壓更高 - 400V 電池是目前的主流，800V將是未來(lái)；
• 重量更輕 - 減輕車(chē)重，增加續(xù)航里程；
• 尺寸更小 - 可安裝在前軸或后軸上，節(jié)省行李箱和后備箱空間。

與硅相比，碳化硅在材料特性方面具有多種優(yōu)勢(shì)，因而成為主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的更優(yōu)選擇。

• 碳化硅的物理硬度達(dá)到了9.5莫氏硬度，而硅為6.5莫氏硬度，所以碳化硅更適合高壓燒結(jié)并具有更高的機(jī)械完整性。
• 碳化硅的熱導(dǎo)率 (4.9W/cm.K) 是硅 (1.15 W/cm.K) 的四倍多，這意味著它可以更有效地傳遞熱量從而在更高溫度下可靠運(yùn)行。
• 碳化硅的擊穿電壓（2500kV/cm）是硅（300kV/cm）的 8 倍多，而且它具有寬帶隙性質(zhì)，能夠更快地導(dǎo)通和關(guān)斷，意味著它的損耗比硅更低。

針對(duì)主驅(qū)逆變、輔助電源、車(chē)載充電和直流快充等系統(tǒng)，安森美可以提供完整的智能電源方案，包括碳化硅、IGBT、MOSFET等產(chǎn)品陣容。其中，EliteSiC功率模塊可以提供更優(yōu)秀的性能、效率和功率密度，采用了最新的平面結(jié)構(gòu)的EliteSiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動(dòng)的高效電源轉(zhuǎn)換。

此外，安森美采用先進(jìn)互連技術(shù)的壓鑄模封裝進(jìn)一步提高了SiC模塊的高功率密度，并且具有低雜散電感，而且更高的開(kāi)關(guān)頻率有助于減小系統(tǒng)中一些無(wú)源組件的尺寸和重量。此外，這種封裝類(lèi)型具有多種工作溫度選項(xiàng)，最高達(dá) 200°C，可降低OEM的散熱要求，并有望采用更小的泵進(jìn)行熱管理。

值得一提的是，除了先進(jìn)的智能電源方案在功率密度、效率和可靠性上表現(xiàn)出眾，為電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)變革可靠的供電保證，安森美 ADAS 和自動(dòng)化系統(tǒng)解決方案同樣使現(xiàn)代車(chē)輛實(shí)現(xiàn)半自動(dòng)化，例如先進(jìn)的CMOS圖像傳感器可以應(yīng)用于前視、側(cè)視、后視、環(huán)視攝像頭系統(tǒng)，使得汽車(chē)的安全等級(jí)進(jìn)一提高，向著全自動(dòng)駕駛的目標(biāo)又進(jìn)一步。